產(chǎn)品簡介：

碳化硅、氮化鎵已成為第三代半導體的主要產(chǎn)品。與前兩代半導體材料相比,其最大的優(yōu)勢是較寬的禁帶寬度,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率的電子器件。公司利用現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)勢，延伸產(chǎn)品鏈，開展第三代半導體的研究開發(fā)工作。

產(chǎn)品展示：